G3R30MT12K

G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor


G3R30MT12K.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 1231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1576.50 грн
10+1394.65 грн
25+1348.87 грн
100+1202.64 грн
250+1162.80 грн
500+1133.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 281W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R30MT12K за ціною від 1252.13 грн до 2404.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R30MT12K G3R30MT12K Виробник : GENESIC 4314484.pdf Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1774.36 грн
5+1702.56 грн
10+1629.94 грн
50+1489.76 грн
100+1353.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K-3479526.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1836.75 грн
10+1664.15 грн
30+1398.53 грн
120+1328.64 грн
270+1284.50 грн
510+1252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+2404.73 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.