Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R350MT12D
G3R350MT12D

G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R350MT12D за ціною від 219.13 грн до 376.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+291.37 грн
120+278.54 грн
270+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+312.19 грн
120+298.44 грн
270+293.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.85 грн
10+316.28 грн
25+301.24 грн
100+262.96 грн
250+250.98 грн
500+242.52 грн
1000+229.53 грн
2500+219.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GENESIC 3189231.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.91 грн
5+350.45 грн
10+324.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D-3478175.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.82 грн
10+328.82 грн
30+273.07 грн
120+254.16 грн
270+242.05 грн
510+233.73 грн
1020+225.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D
Код товару: 199077
Додати до обраних Обраний товар

G3R350MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.