Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R350MT12D
G3R350MT12D

G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
на замовлення 8378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.49 грн
10+267.91 грн
25+255.15 грн
100+222.74 грн
250+212.58 грн
500+205.42 грн
1000+194.41 грн
2500+185.60 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції G3R350MT12D за ціною від 210.33 грн до 384.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.49 грн
4+265.48 грн
9+250.49 грн
10+244.79 грн
30+241.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D-3478175.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.68 грн
10+300.18 грн
30+242.53 грн
120+231.57 грн
270+224.03 грн
510+215.13 грн
1020+210.33 грн
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189231.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+376.59 грн
5+332.02 грн
10+286.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.59 грн
4+330.83 грн
9+300.59 грн
10+293.74 грн
30+289.46 грн
G3R350MT12D
Код товару: 199077 		G3R350MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
G3R350MT12D G3R350MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності