G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 288.58 грн |
| 120+ | 275.87 грн |
| 270+ | 271.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G3R350MT12D за ціною від 216.02 грн до 437.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V |
на замовлення 8011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R350MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
G3R350MT12D Код товару: 199077
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
| G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |