Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > G3R40MT12D

G3R40MT12D

G3R40MT12D.pdf
Код товару: 177790
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції G3R40MT12D за ціною від 814.54 грн до 2092.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1224.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1224.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1262.10 грн
10+1053.36 грн
30+990.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1452.48 грн
30+887.34 грн
120+814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2092.12 грн
10+2028.27 грн
20+1903.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1224.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1224.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1262.10 грн
10+1053.36 грн
30+990.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1452.48 грн
30+887.34 грн
120+814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2092.12 грн
10+2028.27 грн
20+1903.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.