Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R40MT12D
G3R40MT12D

G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor

g3r40mt12d.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+988.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R40MT12D за ціною від 868.31 грн до 3520.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1028.92 грн
3+903.15 грн
30+873.39 грн
120+868.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1064.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1234.71 грн
3+1125.47 грн
30+1048.07 грн
120+1041.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1252.28 грн
10+1100.56 грн
25+1061.10 грн
100+943.20 грн
250+909.42 грн
500+884.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D-3478062.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1344.92 грн
10+1211.09 грн
30+1014.79 грн
120+960.42 грн
270+926.27 грн
510+901.88 грн
1020+896.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1819.11 грн
10+1763.60 грн
20+1654.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3520.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D
Код товару: 177790
Додати до обраних Обраний товар

G3R40MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.