G3R40MT12K

G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R40MT12K за ціною від 897.61 грн до 1427.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R40MT12K G3R40MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1268.50 грн
10+1115.40 грн
25+1076.03 грн
100+955.98 грн
250+922.26 грн
500+897.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1320.88 грн
11+1117.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1328.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K-3479001.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1399.79 грн
10+1215.78 грн
30+1000.61 грн
120+965.14 грн
270+939.48 грн
510+937.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Виробник : GENESIC 3189222.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1427.22 грн
5+1365.42 грн
10+1303.63 грн
50+1168.07 грн
100+1068.06 грн
250+1057.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.