Інші пропозиції G3R75MT12D за ціною від 446.35 грн до 957.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R75MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R75MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R75MT12D | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 207W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R75MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: G3R™; SiC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R75MT12D | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 207W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R75MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
G3R75MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |