Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > G3R75MT12D

G3R75MT12D

G3R75MT12D.pdf
Код товару: 177791
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції G3R75MT12D за ціною від 514.45 грн до 1158.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+727.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+792.61 грн
10+704.28 грн
30+586.84 грн
120+551.48 грн
270+549.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 75mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+911.58 грн
2+763.27 грн
4+721.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.52 грн
30+685.62 грн
60+634.46 грн
120+555.05 грн
510+514.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GENESIC 3189219.pdf Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+727.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+792.61 грн
10+704.28 грн
30+586.84 грн
120+551.48 грн
270+549.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 75mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+911.58 грн
2+763.27 грн
4+721.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1158.52 грн
30+685.62 грн
60+634.46 грн
120+555.05 грн
510+514.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D 3189219.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.