Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R75MT12D
G3R75MT12D

G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

g3r75mt12d.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+644.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 207W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R75MT12D за ціною від 445.34 грн до 1113.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.46 грн
10+620.96 грн
30+490.13 грн
120+477.66 грн
270+468.67 грн
510+464.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GENESIC 3189219.pdf Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+800.38 грн
5+747.88 грн
10+695.38 грн
50+586.47 грн
100+534.43 грн
250+527.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.59 грн
30+562.34 грн
120+483.92 грн
510+445.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf G3R75MT12D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.47 грн
2+852.95 грн
4+805.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D
Код товару: 177791
Додати до обраних Обраний товар

G3R75MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.