G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor


g3r75mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 207W, Gate charge: 54nC, Polarisation: unipolar, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 29A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...15V, Kind of package: tube, Case: TO247-4, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: THT.

Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 336.80 грн до 1422.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+955.33 грн
19+748.34 грн
20+709.94 грн
50+557.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1422.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+567.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+955.33 грн
19+748.34 грн
20+709.94 грн
50+557.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1422.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.