Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R75MT12K
G3R75MT12K

G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

g3r75mt12k.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+271.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 207W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 292.50 грн до 1235.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+292.50 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+753.63 грн
10+654.22 грн
25+627.26 грн
100+553.26 грн
250+530.50 грн
500+514.69 грн
1000+490.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+829.67 грн
19+649.91 грн
20+616.56 грн
50+483.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K-3479174.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.46 грн
10+747.89 грн
30+560.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1235.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.