G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W, Mounting: THT, Case: TO247-4, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -5...15V, Gate charge: 54nC, On-state resistance: 75mΩ, Drain current: 29A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 207W, Drain-source voltage: 1.2kV, Kind of channel: enhancement, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 481.11 грн до 750.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| G3R75MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 750.30 грн |
| 10+ | 643.22 грн |
| 30+ | 525.80 грн |
| 120+ | 503.46 грн |
| 270+ | 488.09 грн |
| 510+ | 481.11 грн |