G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 339.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W, Mounting: THT, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 207W, Gate charge: 54nC, Polarisation: unipolar, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 29A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...15V, Kind of package: tube, Case: TO247-4, On-state resistance: 75mΩ.
Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 339.07 грн до 1432.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Mounting: THT Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Gate charge: 54nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 29A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 75mΩ |
на замовлення 436 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| G3R75MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 339.07 грн |
| G3R75MT12K |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 581.64 грн |
| G3R75MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 961.76 грн |
| 19+ | 753.38 грн |
| 20+ | 714.72 грн |
| 50+ | 560.99 грн |
| G3R75MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1432.34 грн |
| G3R75MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)