Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V.
Інші пропозиції GA10JT12-263
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA10JT12-263 | Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: TRANS SJT 1200V 25APackaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. |
| GA10JT12-263 |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику
од. на суму грн.