GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247AB
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Supplier Device Package: TO-247AB, Power Dissipation (Max): 282W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V.
Інші пропозиції GA20SICP12-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GA20SICP12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.