GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 905.72 грн |
| 10+ | 812.43 грн |
| 25+ | 681.62 грн |
| 100+ | 644.35 грн |
| 250+ | 620.29 грн |
| 500+ | 603.21 грн |
| 1000+ | 586.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V.
Інші пропозиції GAP3SLT33-214
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
GAP3SLT33-214 Код товару: 111733
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
||
|
|
GAP3SLT33-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 3.3KV 0.3A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
|
|
|
GAP3SLT33-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 3.3KV 0.3A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
|
|
GAP3SLT33-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
товару немає в наявності |
|
|
GAP3SLT33-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
товару немає в наявності |

