GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 809.74 грн |
| 10+ | 726.33 грн |
| 25+ | 609.38 грн |
| 100+ | 576.07 грн |
| 250+ | 554.55 грн |
| 500+ | 539.28 грн |
| 1000+ | 524.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V.
Інші пропозиції GAP3SLT33-214 за ціною від 731.44 грн до 883.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAP3SLT33-214 | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GAP3SLT33-214 Код товару: 111733
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
||||||||||
|
|
GAP3SLT33-214 | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
GAP3SLT33-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Kind of package: reel; tape Load current: 0.3A Max. forward impulse current: 1A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 3.3kV Case: DO214 |
товару немає в наявності |