GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214


GAP3SLT33-214.pdf
Код товару: 111733
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GAP3SLT33-214 за ціною від 722.11 грн до 1224.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.71 грн
10+836.59 грн
100+722.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 Виробник : GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Виробник : GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 0.3A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.15V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.