GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 74.14 грн |
| 6000+ | 68.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V.
Інші пропозиції GB01SLT06-214 за ціною від 69.82 грн до 130.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V |
на замовлення 25171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard |
на замовлення 14581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
650V 1A DO-214 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
GB01SLT06-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |