GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 64.20 грн |
| 6000+ | 58.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V.
Інші пропозиції GB01SLT06-214 за ціною від 66.92 грн до 213.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GB01SLT06-214 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V |
на замовлення 8171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard |
на замовлення 14581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 8171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.98 грн |
| 10+ | 133.57 грн |
| 100+ | 92.33 грн |
| 500+ | 70.09 грн |
| 1000+ | 66.92 грн |
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)