GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AA (SMB), Kapazitive Gesamtladung: 0, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Single, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0, Anzahl der Pins: 2 Pin, Produktpalette: 1200V Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції GB01SLT12-214 за ціною від 112.43 грн до 312.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GB01SLT12-214 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
на замовлення 14247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard |
на замовлення 28715 шт: термін постачання 153-162 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GENESIC |
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214 Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.51 грн |
| 10+ | 198.72 грн |
| 100+ | 140.58 грн |
| 500+ | 112.43 грн |
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)