
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 117.40 грн |
6000+ | 109.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AA (SMB), Kapazitive Gesamtladung: 0, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Single, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0, Anzahl der Pins: 2 Pin, Produktpalette: 1200V Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції GB01SLT12-214 за ціною від 120.10 грн до 233.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
на замовлення 18534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28715 шт: термін постачання 153-162 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GENESIC |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214 Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
GB01SLT12-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |