GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 155.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB02SLT12-214 за ціною від 159.58 грн до 269.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 21699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard |
на замовлення 6982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |