GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc.


GB02SLT12-214.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+349.49 грн
10+223.91 грн
100+160.19 грн
500+144.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GB02SLT12-214

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_214-2449983.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12_214-2449983.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.