GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.01 грн |
| 10+ | 240.15 грн |
| 25+ | 199.33 грн |
| 100+ | 185.89 грн |
| 250+ | 177.19 грн |
| 500+ | 171.65 грн |
| 1000+ | 164.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB02SLT12-214 за ціною від 159.28 грн до 385.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB02SLT12-214 | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 2A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
GB02SLT12-214 | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |