GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2594.55 грн |
| 10+ | 2341.49 грн |
| 25+ | 1965.84 грн |
| 100+ | 1864.03 грн |
| 250+ | 1808.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-263-7, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V.
Інші пропозиції GB05MPS33-263 за ціною від 1651.73 грн до 2602.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB05MPS33-263 | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
||||||||
| GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |