![GBL10 (діодний міст) GBL10 (діодний міст)](/img/GBL.jpg)
GBL10 (діодний міст) YJ
![GBL10.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 42571
Виробник: YJКорпус: GBL
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 4 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: GBL005, GBL01, GBL02, GBL04, GBL06, GBL08
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
у наявності 66 шт:
66 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни GBL10 (діодний міст) YJ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GBL410 Код товару: 121575 |
Виробник : YJ |
![]() Корпус: GBL Uзвор, V: 1000 V I пр, A: 4 A Тип діодного моста: Однофазний Монтаж: THT Імпульсний струм, А: 150 A |
у наявності: 136 шт
|
|
Інші пропозиції GBL10 (діодний міст) за ціною від 67.75 грн до 67.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GBL10 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
GBL10 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
![]() |
GBL10 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
GBL10 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||
GBL10 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||
GBL10 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||
![]() |
GBL10 | Виробник : Taiwan Semiconductor | Bridge Rectifiers 4A, 1000V, Standard Bridge Rectifier |
товар відсутній |
|||||
![]() |
GBL10 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MBR20100CT Код товару: 3368 |
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,75 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,75 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
товар відсутній
L6562DTR Код товару: 3001 |
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER
Напруга вхідна, V: 10,3...22 V
Fosc, kHz: 1000 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER
Напруга вхідна, V: 10,3...22 V
Fosc, kHz: 1000 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 187 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 17.9 грн |
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2453 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
STP6NK90Z Код товару: 2004 |
![]() |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 185 грн |
STP14NK60ZFP Код товару: 901 |
![]() |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 47 грн |
10+ | 44.3 грн |