GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 64.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 6nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD02MPS12E за ціною від 63.24 грн до 118.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 73pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD02MPS12E | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD02MPS12E | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD02MPS12E SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
GD02MPS12E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 73pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |