Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12H
GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.24 грн
3+403.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 295.35 грн до 755.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.27 грн
10+424.16 грн
30+345.83 грн
120+331.19 грн
270+320.73 грн
510+310.27 грн
2520+305.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.37 грн
30+432.23 грн
120+367.43 грн
510+300.29 грн
1020+295.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.