Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12H
GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12H.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.21 грн
3+413.46 грн
7+390.67 грн
120+375.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 331.09 грн до 594.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.44 грн
10+443.64 грн
25+425.03 грн
100+374.22 грн
250+358.65 грн
500+347.63 грн
1000+331.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H-3479365.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.57 грн
10+518.07 грн
30+431.63 грн
120+405.22 грн
270+387.87 грн
510+375.79 грн
1020+363.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.25 грн
3+515.24 грн
7+468.80 грн
120+450.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.