Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12H
GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12H.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.02 грн
3+420.02 грн
7+396.95 грн
30+392.18 грн
120+381.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 335.07 грн до 588.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.61 грн
10+448.98 грн
25+430.14 грн
100+378.72 грн
250+362.97 грн
500+351.81 грн
1000+335.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.94 грн
10+485.66 грн
30+404.75 грн
120+379.55 грн
270+363.51 грн
510+352.05 грн
1020+340.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 128A
Kind of package: tube
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.03 грн
3+523.41 грн
7+476.34 грн
30+470.61 грн
120+458.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H Виробник : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.