Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > GD20MPS12H
GD20MPS12H

GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.40 грн
3+404.46 грн
30+387.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD20MPS12H за ціною від 291.08 грн до 744.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+525.89 грн
10+445.89 грн
30+363.54 грн
120+348.15 грн
270+337.15 грн
510+326.16 грн
2520+321.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H Navitas Semiconductor, Inc. GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.42 грн
30+425.97 грн
120+362.11 грн
510+295.94 грн
1020+291.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+525.89 грн
10+445.89 грн
30+363.54 грн
120+348.15 грн
270+337.15 грн
510+326.16 грн
2520+321.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+744.42 грн
30+425.97 грн
120+362.11 грн
510+295.94 грн
1020+291.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.