GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1253.07 грн |
| 10+ | 1115.48 грн |
| 30+ | 931.13 грн |
| 120+ | 875.62 грн |
| 270+ | 840.93 грн |
| 510+ | 838.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 206nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD25MPS17H за ціною від 914.81 грн до 1545.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD25MPS17H | Виробник : GENESIC |
 Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 206nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD25MPS17H | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD25MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |