GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1358.76 грн |
| 10+ | 1209.57 грн |
| 30+ | 1009.67 грн |
| 120+ | 949.48 грн |
| 270+ | 911.86 грн |
| 510+ | 908.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD25MPS17H за ціною від 929.98 грн до 1571.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD25MPS17H | Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD25MPS17H |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1571.14 грн |
| 10+ | 1212.42 грн |
| 30+ | 1124.45 грн |
| 120+ | 981.63 грн |
| 270+ | 950.13 грн |
| 510+ | 929.98 грн |
| GD25MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD25MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)