GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4845.84 грн |
| 10+ | 4313.09 грн |
| 25+ | 4180.26 грн |
| 100+ | 3741.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD2X150MPS06N за ціною від 3868.77 грн до 5269.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X150MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GD2X150MPS06N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |