GD2X25MPS17N

GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor


gd2x25mps17n.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3111.87 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.

Інші пропозиції GD2X25MPS17N за ціною від 2929.94 грн до 4472.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3351.25 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3426.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3689.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3838.47 грн
10+3397.23 грн
25+3285.28 грн
100+2929.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4472.08 грн
10+4051.18 грн
30+3406.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N.pdf 1700V, 50A, SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3585.88 грн
16+3283.63 грн
68+3193.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N Виробник : GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N.pdf 1700V, 50A, SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.