GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor


GD2X25MPS17N.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3538.86 грн
10+3001.68 грн
30+2605.97 грн
100+2559.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.

Інші пропозиції GD2X25MPS17N за ціною від 2633.97 грн до 4036.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N Navitas Semiconductor, Inc. GD2X25MPS17N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4036.21 грн
10+2958.84 грн
100+2633.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4036.21 грн
10+2958.84 грн
100+2633.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.