GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2395.35 грн |
| 10+ | 2096.08 грн |
| 100+ | 1688.06 грн |
| 250+ | 1685.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V.
Інші пропозиції GD2X30MPS12N за ціною від 1734.16 грн до 2881.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X30MPS12N | Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GD2X30MPS12N |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2881.50 грн |
| 10+ | 2069.48 грн |
| 100+ | 1734.16 грн |