Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > GD2X30MPS12N
GD2X30MPS12N

GD2X30MPS12N Navitas Semiconductor, Inc.

GD2X30MPS12N.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2797.20 грн
10+2008.93 грн
100+1683.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X30MPS12N Navitas Semiconductor, Inc.

Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 97nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції GD2X30MPS12N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GENESIC GD2X30MPS12N.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.