GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2374.95 грн |
| 10+ | 2078.23 грн |
| 100+ | 1673.68 грн |
| 250+ | 1670.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 97nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD2X30MPS12N за ціною від 1594.02 грн до 2856.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD2X30MPS12N | Виробник : GENESIC |
 Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 97nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD2X30MPS12N | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |