Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > GD2X50MPS12N
GD2X50MPS12N

GD2X50MPS12N Navitas Semiconductor, Inc.

GD2X50MPS12N.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3747.91 грн
10+2735.53 грн
100+2405.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X50MPS12N Navitas Semiconductor, Inc.

Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD2X50MPS12N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.