GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor


gd2x50mps12n.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3221.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GD2X50MPS12N за ціною від 2356.62 грн до 3672.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3482.28 грн
10+3279.97 грн
30+3264.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N Navitas Semiconductor, Inc. GD2X50MPS12N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3672.38 грн
10+2680.41 грн
100+2356.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3482.28 грн
10+3279.97 грн
30+3264.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3672.38 грн
10+2680.41 грн
100+2356.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.