GT15J341,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns
Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 300V, 15A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.23 грн |
| 50+ | 97.69 грн |
| 100+ | 80.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT15J341,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 15A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns, Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 300V, 15A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції GT15J341,S4X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT15J341,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|
 |
GT15J341,S4X | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS P=30W F=1MHZ |
товару немає в наявності |