GT20J341,S4X(S Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 114.11 грн до 302.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT20J341,S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 600V 20A TO-220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220SIS Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 45 W |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 45 W
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.71 грн |
| 50+ | 114.11 грн |
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 302.67 грн |
| 54+ | 262.13 грн |
| 100+ | 148.98 грн |
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)