GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Power - Max: 45 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.93 грн |
| 50+ | 115.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS, Power - Max: 45 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 148.65 грн до 302.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|