GT20J341,S4X(S Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.94 грн |
| 50+ | 151.41 грн |
| 100+ | 138.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS, Power - Max: 45 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 115.44 грн до 302.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT20J341,S4X(S | Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
GT20J341,S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS Power - Max: 45 W Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns Supplier Device Package: TO-220SIS Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 152.94 грн |
| 94+ | 151.41 грн |
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Power - Max: 45 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Power - Max: 45 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.46 грн |
| 50+ | 115.44 грн |
| GT20J341,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 302.67 грн |
| 54+ | 262.13 грн |
| 100+ | 148.98 грн |