Продукція > TOSHIBA > GT20J341,S4X(S
GT20J341,S4X(S

GT20J341,S4X(S Toshiba

21gt20j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+168.27 грн
86+ 136.17 грн
100+ 127.42 грн
200+ 121.93 грн
Мінімальне замовлення: 70
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba

Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 45 W.

Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 128.19 грн до 148.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT20J341,S4X(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341_datasheet_en_20140107.pdf?did=12743&prodName=GT20J341 Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.39 грн
10+ 128.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : Toshiba 21gt20j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : Toshiba 21gt20j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : Toshiba 21gt20j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : TOSHIBA GT20J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : Toshiba GT20J341_datasheet_en_20140107-1649844.pdf IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A
товар відсутній
GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Виробник : TOSHIBA GT20J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220FP
товар відсутній