GT20J341,S4X(S Toshiba
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 264.25 грн |
| 74+ | 167.93 грн |
| 100+ | 130.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba
Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 146.66 грн до 169.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220SIS Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 45 W |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A |
товару немає в наявності |

