GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 20A TO-220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.74 грн |
| 50+ | 114.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20J341,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 20A TO-220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції GT20J341,S4X(S за ціною від 132.70 грн до 267.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
GT20J341,S4X(S | Виробник : Toshiba |
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
GT20J341,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 11A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 0.2µs Turn-off time: 370ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |