Продукція > TOSHIBA > GT20N135SRA,S1E(S
GT20N135SRA,S1E(S

GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 312W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+290.6 грн
10+ 243.54 грн
30+ 212.91 грн
120+ 168.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, rohsCompliant: YES, Verlustleistung: 312W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), euEccn: NLR, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, usEccn: EAR99.

Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT20N135SRA,S1E(S Виробник : Toshiba GT20N135SRA,S1E(S
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT20N135SRA,S1E(S Виробник : Toshiba IGBT for soft switching applications / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
товар відсутній