GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 384.32 грн |
| 10+ | 272.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E(S за ціною від 131.18 грн до 174.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT20N135SRA,S1E(S | Виробник : Toshiba | IGBT for soft switching applications / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
на замовлення 42060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| GT20N135SRA,S1E(S | Виробник : Toshiba | GT20N135SRA,S1E(S |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|