Продукція > TOSHIBA > GT20N135SRA,S1E(S
GT20N135SRA,S1E(S

GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA

3622411.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 312W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Verlustleistung: 312W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E(S за ціною від 176.48 грн до 218.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT20N135SRA,S1E(S Toshiba gt20n135sra_datasheet_en_20240417.pdf Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.79 грн
73+194.11 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E(S Toshiba docget.pdf Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+214.87 грн
840+213.46 грн
1500+211.95 грн
3000+202.92 грн
6000+186.53 грн
12000+177.78 грн
15000+176.48 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E(S Toshiba docget.pdf Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+218.11 грн
840+216.69 грн
1500+215.15 грн
3000+205.98 грн
6000+189.35 грн
12000+180.47 грн
15000+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E(S gt20n135sra_datasheet_en_20240417.pdf
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+201.79 грн
73+194.11 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E(S docget.pdf
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
360+214.87 грн
840+213.46 грн
1500+211.95 грн
3000+202.92 грн
6000+186.53 грн
12000+177.78 грн
15000+176.48 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E(S docget.pdf
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
360+218.11 грн
840+216.69 грн
1500+215.15 грн
3000+205.98 грн
6000+189.35 грн
12000+180.47 грн
15000+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.