GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 312W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Verlustleistung: 312W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E(S за ціною від 189.90 грн до 234.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT20N135SRA,S1E(S | Toshiba |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GT20N135SRA,S1E(S | Toshiba |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
на замовлення 32850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GT20N135SRA,S1E(S | Toshiba |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
на замовлення 32880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT20N135SRA,S1E(S |
![]() |
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 201.34 грн |
| 73+ | 193.67 грн |
| GT20N135SRA,S1E(S |
![]() |
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 233.41 грн |
| 3000+ | 231.44 грн |
| 6000+ | 229.46 грн |
| 9000+ | 219.36 грн |
| 12000+ | 201.35 грн |
| 15000+ | 191.69 грн |
| 30000+ | 189.90 грн |
| GT20N135SRA,S1E(S |
![]() |
Виробник: Toshiba
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 234.84 грн |
| 3000+ | 232.85 грн |
| 6000+ | 230.86 грн |
| 9000+ | 220.69 грн |
| 12000+ | 202.57 грн |
| 15000+ | 192.86 грн |
| 30000+ | 191.06 грн |



