GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 700µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.23 грн |
| 10+ | 184.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 700µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E за ціною від 104.55 грн до 236.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
IGBT Transistors DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
товар відсутній |