на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.35 грн |
| 10+ | 195.43 грн |
| 120+ | 146.21 грн |
| 510+ | 141.62 грн |
| 1020+ | 137.02 грн |
| 2520+ | 130.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT20N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 700µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції GT20N135SRA,S1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
GT20N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 1350V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 700µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 312 W |
товару немає в наявності |