Продукція > TOSHIBA > GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

GT30J121(Q) Toshiba

gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+119.20 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT30J121(Q) Toshiba

Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 170 W.

Інші пропозиції GT30J121(Q) за ціною від 109.66 грн до 340.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121 Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.57 грн
10+198.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba 18DCB19F3FC4E8F44E2A14EEA484C3CA09DE725928D028DCC4ECED71F18CD545.pdf IGBTs 600V/30A DIS
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.85 грн
10+221.84 грн
100+135.27 грн
500+111.26 грн
1000+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121 GT30J121Q THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.41 грн
6+215.12 грн
16+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.