Технічний опис GT30J121(Q) Toshiba
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції GT30J121(Q) за ціною від 106.19 грн до 632.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns Supplier Device Package: TO-3P(N) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A Input Type: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Power - Max: 170 W |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
IGBTs 600V/30A DIS |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|