Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30J121(Q) Toshiba
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції GT30J121(Q) за ціною від 154.83 грн до 629.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT30J121(Q) | Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GT30J121(Q) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 430ns Turn-on time: 240ns |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GT30J121(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns Supplier Device Package: TO-3P(N) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A Input Type: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Power - Max: 170 W |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
GT30J121(Q) | Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GT30J121(Q) | Toshiba |
IGBTs 600V/30A DIS |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GT30J121(Q) |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 161.29 грн |
| GT30J121(Q) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 430ns
Turn-on time: 240ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 430ns
Turn-on time: 240ns
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.16 грн |
| 3+ | 228.13 грн |
| 10+ | 182.83 грн |
| 25+ | 154.83 грн |
| GT30J121(Q) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.51 грн |
| 10+ | 198.28 грн |
| GT30J121(Q) |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 629.30 грн |
| GT30J121(Q) |
|
Виробник: Toshiba
IGBTs 600V/30A DIS
IGBTs 600V/30A DIS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)