на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 116.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30J121(Q) Toshiba
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції GT30J121(Q) за ціною від 104.37 грн до 324.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P(N) Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 170 W |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GT30J121(Q) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
IGBTs 600V/30A DIS |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
GT30J121(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |