GT30J341,Q Toshiba
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.45 грн |
10+ | 201.15 грн |
50+ | 169.57 грн |
100+ | 145.54 грн |
200+ | 140.87 грн |
500+ | 128.85 грн |
1000+ | 103.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30J341,Q Toshiba
Description: IGBT TRANS 600V 30A TO3PN, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns, Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT30J341,Q за ціною від 163.33 грн до 245.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GT30J341,Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT TRANS 600V 30A TO3PN Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P(N) Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
GT30J341,Q | Виробник : Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товар відсутній |
||||||||||||
GT30J341,Q | Виробник : Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товар відсутній |