Продукція > TOSHIBA > GT30J65MRB,S1E
GT30J65MRB,S1E

GT30J65MRB,S1E Toshiba

Виробник: Toshiba
IGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.03 грн
10+216.06 грн
25+118.16 грн
100+96.14 грн
500+79.26 грн
1000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT30J65MRB,S1E Toshiba

Description: IGBT 650V 60A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 75ns/400ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції GT30J65MRB,S1E за ціною від 132.68 грн до 246.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT30J65MRB,S1E GT30J65MRB,S1E Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 650V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/400ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.11 грн
25+132.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J65MRB,S1E Виробник : Toshiba docget.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 200W Stick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.