Продукція > TOSHIBA > GT30N135SRA,S1E(S
GT30N135SRA,S1E(S

GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA


3685631.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+378.55 грн
10+308.12 грн
100+236.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E(S за ціною від 177.81 грн до 227.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT30N135SRA,S1E(S Виробник : Toshiba IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+227.20 грн
59+218.54 грн
100+211.12 грн
250+197.41 грн
500+177.81 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.