GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E(S за ціною від 194.44 грн до 248.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT30N135SRA,S1E(S | Toshiba | IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GT30N135SRA,S1E(S |
Виробник: Toshiba
IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 248.44 грн |
| 59+ | 238.97 грн |
| 100+ | 230.86 грн |
| 250+ | 215.87 грн |
| 500+ | 194.44 грн |