на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 270.27 грн |
10+ | 233.4 грн |
100+ | 175.58 грн |
250+ | 166.9 грн |
500+ | 163.57 грн |
1000+ | 147.54 грн |
2500+ | 140.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 1350V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 348 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W Tube |
товар відсутній |