на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.66 грн |
| 10+ | 200.91 грн |
| 30+ | 174.70 грн |
| 100+ | 158.13 грн |
| 500+ | 147.77 грн |
| 1000+ | 146.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E за ціною від 202.30 грн до 306.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 60A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 348 W |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |