GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.79 грн |
| 10+ | 228.12 грн |
| 30+ | 206.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E за ціною від 126.23 грн до 398.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS |
на замовлення 3639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W Tube |
товару немає в наявності |