GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Turn-on time: 0.3µs
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 381.13 грн |
| 10+ | 258.30 грн |
| 25+ | 232.31 грн |
| 50+ | 216.37 грн |
| 100+ | 207.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 35A, Power dissipation: 230W, Case: TO3PN, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 80A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-off time: 0.6µs, Turn-on time: 0.3µs.