![GT40RR21(STA1,E GT40RR21(STA1,E](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4995/GT50JR22%28STA1%2CE%2CS%29.jpg)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage
![GT40RR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13341&prodName=GT40RR21](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 540µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 237.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 540µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT40RR21(STA1,E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT40RR21(STA1,E | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
GT40RR21(STA1,E | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |