на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.85 грн |
| 10+ | 241.25 грн |
| 100+ | 173.56 грн |
| 500+ | 147.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40RR21(STA1,E Toshiba
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 540µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT40RR21(STA1,E за ціною від 231.51 грн до 415.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40RR21(STA1,E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1200V 40A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 600 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Switching Energy: -, 540µJ (off) Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
GT40RR21(STA1,E | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |