Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q(O Toshiba
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, Verlustleistung: 375W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції GT40WR21,Q(O за ціною від 674.51 грн до 917.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Kind of package: tube Case: TO3PN Turn-off time: 570ns Turn-on time: 950ns Power dissipation: 375W Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 1.8kV Mounting: THT Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Verlustleistung: 375W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
GT40WR21,Q(O | Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| GT40WR21,Q(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Turn-off time: 570ns
Turn-on time: 950ns
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Turn-off time: 570ns
Turn-on time: 950ns
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 917.97 грн |
| 5+ | 763.46 грн |
| 25+ | 674.51 грн |
| GT40WR21,Q(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GT40WR21,Q(O |
|
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)