Технічний опис GT40WR21,Q(O Toshiba
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT40WR21,Q(O за ціною від 560.74 грн до 1427.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40WR21,Q(O | Виробник : TOSHIBA |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.8kV Collector current: 40A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 950ns Turn-off time: 570ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT40WR21,Q(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|