GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 40A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 861.07 грн |
| 10+ | 575.29 грн |
| 25+ | 508.39 грн |
| 100+ | 405.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції GT40WR21,Q за ціною від 408.30 грн до 894.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40WR21,Q | Виробник : Toshiba |
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT40WR21,Q | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |