| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 797.49 грн |
| 10+ | 545.90 грн |
| 100+ | 426.88 грн |
| 500+ | 388.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції GT40WR21,Q за ціною від 554.94 грн до 830.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40WR21,Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 40A TO-3PPackaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|