GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 375 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 832.85 грн |
| 10+ | 556.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції GT40WR21,Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40WR21,Q | Toshiba |
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GT40WR21,Q |
|
Виробник: Toshiba
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)