Продукція > Транзистори > IGBT > GT50J325 TOSHIBA

GT50J325 TOSHIBA

Код товару: 105146
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: TOSHIBA
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GT50J325

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT50J325 Toshiba IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J325 Toshiba IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J325 GT50J325 TOSHIBA 58133.pdf Description: TOSHIBA - GT50J325 - IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45
MSL: -
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 240
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J325
Виробник: Toshiba
IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J325
Виробник: Toshiba
IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J325 58133.pdf
GT50J325
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50J325 - IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45
MSL: -
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 240
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.