GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.83 грн |
| 10+ | 199.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції GT50J341,Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50J341,Q | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin |
товару немає в наявності |
|
 |
GT50J341,Q | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V |
товару немає в наявності |