GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Collector current: 49A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 359.44 грн |
| 10+ | 299.32 грн |
| 25+ | 264.88 грн |
| 100+ | 238.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: TO3PN, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 430ns, Turn-off time: 720ns, Collector current: 49A, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 100A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S) за ціною від 192.09 грн до 514.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 430ns Turn-off time: 720ns Collector current: 49A Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 50A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |