GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 492.22 грн |
| 25+ | 278.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 49A, Power dissipation: 230W, Case: TO3PN, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 100A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 430ns, Turn-off time: 720ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S) за ціною від 203.74 грн до 544.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 49A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 430ns Turn-off time: 720ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 49A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 430ns Turn-off time: 720ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |