Продукція > TOSHIBA > GT50JR21(STA1,E,S)
GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.50 грн
10+291.05 грн
25+257.55 грн
100+232.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 49A, Power dissipation: 230W, Case: TO3PN, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 100A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 430ns, Turn-off time: 720ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S) за ціною від 186.78 грн до 500.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.40 грн
10+362.69 грн
25+309.07 грн
100+278.45 грн
250+257.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13656&prodName=GT50JR21 Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Виробник : Toshiba 75E57FF49D76B9120BCD5D545EB3C20C0192AA9B72BCB960812AC8CB6B9304BC.pdf IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.12 грн
10+291.38 грн
100+251.85 грн
500+186.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Виробник : Toshiba 71gt50jr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Виробник : Toshiba 71gt50jr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.