GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S) за ціною від 205.70 грн до 549.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
GT50JR21 THT IGBT transistors |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |