GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P, Power - Max: 230 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S) за ціною від 189.88 грн до 504.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR21(STA1,E,S) | Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GT50JR21(STA1,E,S) |
|
Виробник: Toshiba
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 504.59 грн |
| 10+ | 291.96 грн |
| 100+ | 210.98 грн |
| 500+ | 189.88 грн |