Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > GT50JR21(STA1,E,S)
GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage

GT50JR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13656&prodName=GT50JR21
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: IGBT 600V 50A TO-3P, Power - Max: 230 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції GT50JR21(STA1,E,S)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba 75E57FF49D76B9120BCD5D545EB3C20C0192AA9B72BCB960812AC8CB6B9304BC.pdf IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) 75E57FF49D76B9120BCD5D545EB3C20C0192AA9B72BCB960812AC8CB6B9304BC.pdf
GT50JR21(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.