GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 406.81 грн |
| 10+ | 254.75 грн |
| 25+ | 224.59 грн |
| 100+ | 213.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GT50JR22(STA1,E,S) за ціною від 185.89 грн до 534.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IGBT 600V 50A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GT50JR22(STA1,E,S) Код товару: 152398
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
GT50JR22(STA1,E,S) | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |