Продукція > Транзистори > IGBT > GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Код товару: 152398
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GT50JR22(STA1,E,S) за ціною від 221.54 грн до 426.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+426.61 грн
10+269.31 грн
25+229.78 грн
50+221.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA 3622412.pdf Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba 3745464538433633334637383142344535444237373831364143393441423142.pdf IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+426.61 грн
10+269.31 грн
25+229.78 грн
50+221.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) 3622412.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50JR22(STA1,E,S) - IGBT, 50 A, 1.55 V, 230 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) 3745464538433633334637383142344535444237373831364143393441423142.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
IGBTs IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.