GT50JR22
Код товару: 108218
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,55 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 50 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 44 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 230 Вт
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції GT50JR22 за ціною від 223.53 грн до 430.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| GT50JR22(STA1,E,S) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 430.44 грн |
| 10+ | 271.73 грн |
| 25+ | 231.84 грн |
| 50+ | 223.53 грн |