на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.12 грн |
| 10+ | 273.27 грн |
| 50+ | 189.07 грн |
| 100+ | 186.13 грн |
| 250+ | 155.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50N322A Toshiba
Description: IGBT 1000V 50A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 800 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції GT50N322A за ціною від 406.66 грн до 406.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50N322A | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1000V 50A TO-3PPackaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 800 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
GT50N322A | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |