GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1000V 50A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 800 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 50A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 800 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції GT50N322A за ціною від 165.31 грн до 465.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50N322A | Виробник : Toshiba |
IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GT50N322A | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |