Технічний опис GT60M303(Q) Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL.
Інші пропозиції GT60M303(Q)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GT60M303(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH |
товару немає в наявності |
||
 |
GT60M303(Q) | Виробник : Toshiba |
IGBT Transistors 900V/60A DIS+FRD Trench |
товару немає в наявності |