Продукція > Транзистори > IGBT > GT60N321[Q]

GT60N321[Q]

Код товару: 58518
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GT60N321[Q]

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60N321(Q) GT60N321(Q) Toshiba toshiba america electronic components inc_dst_gt60-1209292.pdf IGBT Transistors IGBT 1000V 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60N321(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60N321(Q) toshiba america electronic components inc_dst_gt60-1209292.pdf
GT60N321(Q)
Виробник: Toshiba
IGBT Transistors IGBT 1000V 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.