Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor

Name: HGT1S12N60A4DS
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 73857268-3
Price: 21908.5 UAH
Availability: InStock

FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
86+	254.75 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor

Description: IGBT 600V 54A TO-263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns, Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 78 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 167 W.

Інші пропозиції HGT1S12N60A4DS

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
HGT1S12N60A4DS	Виробник : On Semiconductor/Fairchild		на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
HGT1S12N60A4DS Код товару: 50012 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HGT1S12N60A4DS	Виробник : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
HGT1S12N60A4DS	Виробник : onsemi	Description: IGBT 600V 54A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.