Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HGT1S12N60A4DS за ціною від 266.81 грн до 396.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGT1S12N60A4DS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: IGBT 600V 54A TO-263ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
HGT1S12N60A4DS | Виробник : ONS/FAI |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
 |
HGT1S12N60A4DS | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 54A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W |
товару немає в наявності |