HGTD1N120BNS9A onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 44.08 грн |
| 5000+ | 40.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: 60W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 5.3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 5.3A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 39.76 грн до 153.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: 60W euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 5.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 5.3A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series |
на замовлення 49031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 5.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 23671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: IGBT Gate charge: 21nC Collector current: 2.7A Pulsed collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |