Продукція > ONSEMI > HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A onsemi


hgtd1n120bns-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: 60W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 5.3A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 42.45 грн до 158.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.99 грн
500+61.31 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.99 грн
50+90.78 грн
100+77.99 грн
500+61.31 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.74 грн
102+120.07 грн
126+97.48 грн
250+91.60 грн
500+69.70 грн
1000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.12 грн
10+113.05 грн
25+111.49 грн
100+87.28 грн
250+78.75 грн
500+62.13 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi / Fairchild HGTD1N120BNS_D-1810424.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 61920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
10+95.60 грн
100+58.56 грн
500+47.75 грн
1000+44.21 грн
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+97.86 грн
100+66.36 грн
500+49.63 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor hgtd1n120bns-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf HGTD1N120BNS9A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.