HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild
на замовлення 14594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.23 грн |
| 10+ | 78.88 грн |
| 100+ | 56.94 грн |
| 500+ | 50.88 грн |
| 1000+ | 42.49 грн |
| 2500+ | 40.62 грн |
| 5000+ | 39.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild
Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns, Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 40.66 грн до 117.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK Mounting: SMD Gate charge: 21nC Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.7A Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 60W кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK Mounting: SMD Gate charge: 21nC Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.7A Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 60W |
товар відсутній |