HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild


HGTD1N120BNS-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 49031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.20 грн
10+73.74 грн
100+52.48 грн
500+44.82 грн
1000+42.17 грн
2500+37.15 грн
5000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild

Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns, Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A, Power - Max: 60 W.

Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 40.08 грн до 145.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 38736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.47 грн
10+86.56 грн
100+56.32 грн
500+44.82 грн
1000+42.17 грн
2500+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.06 грн
10+89.47 грн
100+60.70 грн
500+45.40 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A Виробник : ONS/FAI hgtd1n120bns-d.pdf IGBT 1200V 5.3A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.