Продукція > ONSEMI > HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A ONSEMI

ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.80 грн
500+52.72 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTD1N120BNS9A ONSEMI

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: 60W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 5.3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 5.3A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 35.55 грн до 141.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor hgtd1n120bns-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.75 грн
5000+84.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi / Fairchild HGTD1N120BNS-D.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 49031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.74 грн
10+71.91 грн
100+51.18 грн
500+43.70 грн
1000+41.12 грн
2500+36.23 грн
5000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 38736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.60 грн
10+84.41 грн
100+54.92 грн
500+43.70 грн
1000+41.12 грн
2500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.66 грн
50+90.39 грн
100+67.80 грн
500+52.72 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.45 грн
10+87.25 грн
100+59.19 грн
500+44.27 грн
1000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor hgtd1n120bns-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.