HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.20 грн |
| 10+ | 73.74 грн |
| 100+ | 52.48 грн |
| 500+ | 44.82 грн |
| 1000+ | 42.17 грн |
| 2500+ | 37.15 грн |
| 5000+ | 36.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi / Fairchild
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns, Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 40.08 грн до 145.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series |
на замовлення 38736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | Виробник : ONS/FAI |
IGBT 1200V 5.3A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
HGTD1N120BNS9A | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
товару немає в наявності |

