Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HGTG10N120BND
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND ON Semiconductor

hgtg10n120bnd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+204.85 грн
500+194.29 грн
1000+182.68 грн
10000+165.97 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG10N120BND ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns, Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.

Інші пропозиції HGTG10N120BND за ціною від 122.31 грн до 369.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Виробник : ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+204.85 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Виробник : ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+204.85 грн
500+194.29 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Виробник : onsemi hgtg10n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.72 грн
30+198.77 грн
120+164.27 грн
510+130.42 грн
1020+122.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Виробник : ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND
Код товару: 91807
Додати до обраних Обраний товар

hgtg10n120bnd-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Виробник : onsemi / Fairchild HGTG10N120BND-D.PDF IGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.