Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > HGTG10N120BND
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

hgtg10n120bnd-d.pdf
Код товару: 91807
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HGTG10N120BND за ціною від 111.76 грн до 337.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.38 грн
500+205.80 грн
1000+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.38 грн
500+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND HGTG10N120BND onsemi hgtg10n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.83 грн
30+181.63 грн
120+150.10 грн
510+119.17 грн
1020+111.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND hgtg10n120bnd-d.pdf
HGTG10N120BND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+216.38 грн
500+205.80 грн
1000+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND hgtg10n120bnd-d.pdf
HGTG10N120BND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND hgtg10n120bnd-d.pdf
HGTG10N120BND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+216.38 грн
500+205.80 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND hgtg10n120bnd-d.pdf
HGTG10N120BND
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+337.83 грн
30+181.63 грн
120+150.10 грн
510+119.17 грн
1020+111.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.