Продукція > ONSEMI > HGTG18N120BND
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND ONSEMI

2303946.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+357.09 грн
10+ 349.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG18N120BND ONSEMI

Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 390 W.

Інші пропозиції HGTG18N120BND

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Виробник : ON Semiconductor 3655262192311621hgtg18n120bn.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Виробник : onsemi hgtg18n120bnd-d.pdf Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Виробник : onsemi / Fairchild HGTG18N120BND_D-1810280.pdf IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
товар відсутній