Продукція > ONSEMI > HGTG18N120BND
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND ONSEMI

2303946.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG18N120BND ONSEMI

Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3, Power - Max: 390 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 165 nC, Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V, Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HGTG18N120BND

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG18N120BND HGTG18N120BND onsemi hgtg18n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Power - Max: 390 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 165 nC
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND ONS/FAI hgtg18n120bnd-d.pdf IGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND HGTG18N120BND onsemi / Fairchild HGTG18N120BND_D-1810280.pdf IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND ON Semiconductor hgtg18n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND hgtg18n120bnd-d.pdf
HGTG18N120BND
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Power - Max: 390 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 165 nC
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND hgtg18n120bnd-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
IGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND HGTG18N120BND_D-1810280.pdf
HGTG18N120BND
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND hgtg18n120bnd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.