HGTG20N60B3 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
84+ | 232.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG20N60B3 Harris Corporation
Description: N-CHANNEL IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 165 W.
Інші пропозиції HGTG20N60B3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
HGTG20N60B3 | Виробник : N/A | 09+ |
на замовлення 4518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
HGTG20N60B3 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
HGTG20N60B3 Код товару: 63371 |
Виробник : FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220 |
товар відсутній
|
||
HGTG20N60B3 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
HGTG20N60B3 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 40A 165W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W |
товар відсутній |
||
HGTG20N60B3 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series |
товар відсутній |