HGTG30N60A4 FAIR/ON
Код товару: 42509
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR/ON
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/150
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HGTG30N60A4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
HGTG30N60A4 | onsemi |
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 463 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HGTG30N60A4 | ONS/FAI |
IGBT, TO-247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
HGTG30N60A4 | onsemi |
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
HGTG30N60A4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 Verlustleistung Pd: 463 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HGTG30N60A4 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: ONS/FAI
IGBT, TO-247 Транзистори
IGBT, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| 470uF 35V SD 10x12mm (SD1V477M1012MPA159 Samwha) (електролітичний конденсатор) Код товару: 114741
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samwha
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: SD
Тип: загального призначення, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x12 мм
Строк служби: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: SD
Тип: загального призначення, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x12 мм
Строк служби: 2000 годин
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| 47 Ohm 10W 5% (SQP100JB-47R) Код товару: 50519
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 47 Ом
Потужність: 10 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 1000 В
Розміри, мм: 48,0х10,0х9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 47 Ом
Потужність: 10 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 1000 В
Розміри, мм: 48,0х10,0х9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
у наявності: 457 шт
- 457 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| 1000+ | 9.90 грн |






