Продукція > Транзистори > IGBT > HGTG30N60A4D ON
HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D ON

HGTG30N60A4D.pdf
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 24/180
у наявності: 19 шт
  • 4 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG30N60A4D ON

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:75A
  • Max Voltage Vce Sat:2.6V
  • Power Dissipation:463W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:HGTG30N60A4D
  • Fall Time Tf:38ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12s
  • Typ Fall Time:38ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

Інші пропозиції HGTG30N60A4D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG30N60A4D ONS/FAI hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ONSEMI ONSM-S-A0013297333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D ON Semiconductor hgtg30n60a4d-d.pdf description Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
IGBT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: onsemi
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description ONSM-S-A0013297333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTG30N60A4D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MJE15032G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар
MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (біполярний транзистор NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 30 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 250 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 250 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 67 шт
  • 67 шт - склад
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033G
Код товару: 27993
Додати до обраних Обраний товар
MJE15032,15033.pdf
MJE15033G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 30 МГц
Напруга Uке, В: 250 В
Напруга Uкб, В: 250 В
Струм Iк, А: 8 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 70
у наявності: 201 шт
  • 196 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
0,1 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Код товару: 25198
2 Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
0,1 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R1-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 0,1 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 2142 шт
  • 1919 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 94 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7805CV
Код товару: 24792
8 Додати до обраних Обраний товар
L7800 series.pdf
L7805CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
у наявності: 2280 шт
  • 2158 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 118 шт
  • 118 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AT90S2313-10SI
Код товару: 13606
Додати до обраних Обраний товар
at90s2313-10si.pdf
AT90S2313-10SI
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-20
Короткий опис: 8-bit AVR МК, 10МГц, 2K Flash, 128x8 RAM, 128x8 EEPROM
Живлення, В: 4,0...6,0 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 10 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
у наявності: 9 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.