Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HGTG30N60C3D
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D ON Semiconductor

hgtg30n60c3d-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+387.15 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG30N60C3D ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 63A TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off), Gate Charge: 162 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A, Power - Max: 208 W.

Інші пропозиції HGTG30N60C3D за ціною від 414.80 грн до 649.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+557.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+649.30 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+649.30 грн
100+616.37 грн
500+584.47 грн
1000+531.85 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+649.30 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : onsemi hgtg30n60c3d-d.pdf Description: IGBT 600V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Виробник : onsemi / Fairchild HGTG30N60C3D_D-1810215.pdf IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.